![Исследовательская CVD-установка для осаждения покрытий на плоские образцы CVD-установка для осаждения покрытий на плоские образцы](/images/cvdrazrab/et3000/et3000.jpg)
Имеющаяся у нас установка ЕТ 3000 EXT производства компании Firstnano предназначена для химического газофазного осаждения пленок и покрытий при температурах до 1200ºС на плоские образцы размерами до 70х50 мм, изготовленные из различных материалов.
Характеристики установки ET 3000
Химическое газофазное осаждение может быть проведено из газообразных, жидких и твердых прекурсоров как при пониженном, так и атмосферном давлении.
В качестве газов-носителей могут быть использованы инертные газы: аргон, азот, гелий.
Рабочими газами могут служить любые инертные, окислительные и восстановительные газы, включая кислород, водород, силан, аммиак, метан и прочие.
Прекурсорами могут служить жидкие, а также твердые вещества с низкой температурой плавления (до ~ 140-150ºС):
это металлоорганические и неорганические соединения с достаточным давлением паров.
Твердые вещества с более высокой температурой плавления могут быть также использованы в ограниченном количестве применением 2-х специальных источников паров при нагревании до 400ºС.
Установка располагает источником радиоплазмы, позволяющим модифицировать процесс осаждения пленок/покрытий и понизить температуру реакции разложения прекурсоров.
Установка снабжена отдельным блоком окисления, нейтрализации, отмывки и охлаждения отходящих газов для удаления обезвреженных газов в вентиляцию и канализацию.
Охлаждение тоководов, газовых линий, генератора плазмы, газоочистки и вакуумных насосов производится водою из магистрального водопровода. Для уменьшения расхода воды имеется система оборотного водоснабжения с воздушным теплообменником.
Установка состоит из следующих основных блоков:
– Блок управления;
– Система разгрузки/загрузки;
– Реактор;
– Система газоочистки очистки;
– Система водяного охлаждения.
Блок управления представляет панель, на которой расположены основные кнопки управления и сигнализации, а также монитор компьютера с главной мнемо-схемой установки, позволяющей в визуальном режиме отслеживать состояние основных узлов и параметров протекающего процесса, а также контролировать возможные сбои и способы их устранения
![et panel](/images/cvdrazrab/et3000/et_panel.jpg)
![et mnemo](/images/cvdrazrab/et3000/et_mnemo.jpg)
Реактор
![CVD-реактор](/images/cvdrazrab/et3000/et_reactor.jpg)
Реактор предназначен для проведения процесса химического газофазного осаждения необходимых слоев на подложки из различных материалов при температурах до 1200°С при использовании различных газовых атмосфер. Реактор изготовлен из плавленого кварца.
Термопары вводятся в три зоны реактора через центральную трубку, одновременно являющуюся держателем для образцов.
Прекурсор подается через кварцевую форсунку (красный цвет).
Желтым на рисунке обозначена тепловая пробка из пористого кварца.
!["](/images/cvdrazrab/et3000/et_solid.jpg)
Фланцевые уплотнения подвергаются откачке отдельным вакуумным насосом с контролем натекания.
Источник-сублиматор для твердых прекурсоров.
!["](/images/cvdrazrab/et3000/et_pech.jpg)
Источник-сублиматор для твердых прекурсоров предназначен для образования газовой реакционно смеси для проведения процессов осаждения.
Представляет собой тигель из оксида алюминия, в которую закладывается ~ 1-1,5см3 твердого прекурсора.
Чашка закрывается кварцевой крышкой с инжектором и трубкой, доставляющей полученную газовую смесь в зону реакции.
Возможна установка двух источников.
Нагрев реактора
Нагрев реактора осуществляется трехзонной печью сопротивления с контролирующими термопарами.
Мощность нагрева и температура зон задаются с помощью интерфейса управления.
Токовводы охлаждаются проточной водой (красные трубки).
Вспомогательные газы также могут быть подогреты и подведены по нагретым магистралям в зону реакции.
Источник плазмы
!["](/images/cvdrazrab/et3000/et_plazma.jpg)
Источник удаленной радиоплазмы предназначен для активизации реакционных процессов, позволяет снизить температуру осаждения и улучшить условия образования покрытий/пленок.
Предназначен для работы с газообразными или жидкими прекурсорами.
От металлического фланца отделяется графитовым экраном.
Источником плазмы является генератор, расположенный под системой загрузки.
Система загрузки/выгрузки.
!["](/images/cvdrazrab/et3000/et_zagruz.jpg)
Система загрузки/выгрузки предназначена для автоматического введения/выведения образцов из зоны реакции.
Представляет собой вакуумную камеру, позволяющую вакуумировать образец, провести отмывку его аргоном (25 л) при закрытом вакуумной заслонкой реакторе, затем ввести его в реакционную зону, одновременно обеспечив ее герметичность.
Перемещение образцов осуществляется с помощью штока. Необходимые коммуникации, включая три термопары, водяное охлаждение и токовводы для твердотельных источников расположены внутри полого центрального штока.